来源：内容编译自zeiss本月初，蔡司确认已成功完成对Beyond Gravity光刻部门收购。据介绍，本次收购的标的是特殊执行器和复杂机电一体化组件的领先供应商。自 2024 年 12 月 1 日起，这家瑞士高科技公司（前身为 RUAG International）在完成反垄断审核后，成为蔡司半导体制造技术 (SMT) 部门的一部分。Coswig 工厂将并入 Carl Zeiss SMT Gmb

作者：应用材料公司 马克斯•麦丹尼尔众所周知，应用材料公司最广为人知的是为全球逻辑芯片和存储芯片的生产提供设备，同时长期以来，我们也利用材料工程专长来解决相邻终端市场的技术挑战。其中最佳示例之一就是我们的显示业务。2024年10月，应用材料公司庆祝显示器制造设备创新30周年！我们在推动关键显示技术变革方面有悠久的传统，并且有能力在下一次重大技术变革中也处于领先地位——即将高端智能手机中先进的OLE

来源：集成电路材料研究日本电气玻璃与VIA Mechanics于11月19日宣布，双方已签署共同开发协议，以加速玻璃及玻璃陶瓷制成的半导体封装用无机芯板的开发。目前的半导体封装中，核心基板主要采用玻璃环氧树脂基板等有机材料基板。然而，针对未来高性能半导体的封装需求，核心基板上的电路和微孔（通孔，via）需要实现更高的微细化和高密度化，同时具备支持高速传输的优良电气特性。这些需求使得有机材料基板难以

据“合肥新站区”官微消息，12月12日，合肥赛美泰克科技有限公司在新站高新区开业运营。source：合肥新站区据悉，该项目总投资约2.3亿元，采用租赁芯屏高科技产业园厂房形式，用于建设IGBT及碳化硅（SiC）产线核心设备项目，生产智能测试分选机设备、甲酸真空焊接炉、SiC芯片测试分选机及晶圆老化测试设备等，达产后年产值约2.8亿元。项目于今年7月正式签约，10月企业顺利投产，11月产品交付客户端

来源：TECHPOWERUP2024 IEEE IEDM 会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师Ian Cutress在其社交平台上发布的动态，英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器设计的愿景。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。在英

来源：IEEE台积电在本月早些时候于IEEE国际电子器件会议（IEDM）上公布了其N2（2nm级）制程的更多细节。该新一代工艺节点承诺实现24%至35%的功耗降低或15%的性能提升（在相同电压下），同时其晶体管密度是上一代3nm制程的1.15倍。这些显著优势主要得益于台积电的全栅极（Gate-All-Around, GAA）纳米片晶体管、N2 NanoFlex设计技术协同优化（DTCO）能力，以及

国家知识产权局信息显示，广州壁仞集成电路有限公司取得一项名为“封装结构”的专利，授权公告号 CN 222126498 U，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本实用新型提供一种封装结构，具有芯片区、中间区和边缘区，所述中间区环绕所述芯片区，所述边缘区环绕所述中间区，且所述封装结构包括：封装基板；芯片组件，位于芯片区内，且与所述封装基板电连接；第一附加装置，位于中间区内，与芯片组件并排设置于封

来源：杜芹半导体芯闻最近一段时间以来，芯片巨头英特尔在商业和市场层面经历了诸多挑战。但有一说一，英特尔在前沿技术领域的探索和布局依然具有行业标杆意义，其发布的技术路线图和成果为半导体行业提供了重要参考方向。在IEDM 2024大会上，英特尔发布了7篇技术论文，展示了多个关键领域的创新进展。这些技术涵盖了从FinFET到2.5D和3D封装（EMIB、Foveros、Foveros Direct），即

来源：IEEE Spectrum看到底部的台积电新型晶体管了吗？我也没看到。——台积电台积电在旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上介绍了其下一代晶体管技术。N2（即 2纳米）技术是这家半导体代工巨头首次涉足的新型晶体管架构，称为纳米片或环绕栅极。三星拥有生产类似器件的工艺，英特尔和台积电预计均将在 2025 年开始生产。与台积电目前最先进的工艺 N3（3纳米）相比，这项新技术

来源：Silicon SemiconductorCEA-Leti 的研究人员利用液晶单元和 CMOS 图像传感器，开发出了首个能够在单个器件中感知光并进行相应调制的器件。该紧凑系统提供内在的光学对准和紧凑性，并且易于扩大规模，有利于在显微镜和医学成像等应用中使用数字光学相位共轭 (DOPC) 技术。CEA-Leti 混合信号 IC 设计研究工程师、IEDM 2024 论文的主要作者 Arnaud