3月17日，韩国SK集团董事长崔泰源在美国加州圣何塞举行的英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030 年。与此同时，他预计DRAM、NAND和 HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。上个月，崔泰源在参加于美国华盛顿特区举行的“跨太平洋对话”（TPD）会议时就曾指出，当前人工智能存储芯片的短缺

据韩国媒体 BusinessKorea 报道，全球半导体巨头三星电子（Samsung Electronics）近日正式确认，已启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发工作。在这一代产品中，三星计划打破行业传统，在其底层芯片（Base Die）上首次应用 2 纳米（nm） 先进制程工艺。在近日于美国加州举行的行业技术通报会上，三星电子内存业务高管透露了公司在 AI 存储领域的最新路线图：HBM5（第八

慧荣科技（NasdaqGS: SIMO）作为设计和推广固态存储设备NAND闪存主控芯片的全球领先的企业之一，今日宣布将在NVIDIA GTC 2026的3015号展台展示丰富的差异化企业级SSD主控芯片和PCIe NVMe BGA启动SSD产品组合，专为满足NVIDIA AI生态系统不断演进的需求而打造。随着AI模型规模的不断扩大，推理架构正在从HBM和系统DRAM扩展到高性能NAND存储层，正如

近期，媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司已订购原材料和组件。三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET， 聚焦车规级、工业级等高可靠性应用。未来三星还计划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产品，完善碳化硅功率器件产品矩阵。业界认为，三星在碳化硅领域的动作是其完善半导体产业布局、补齐功率器件短板的关键举措。2023年三星电

3月17日，OPPO全新大折叠旗舰Find N6和Watch X3智能手表惊艳亮相。OPPO Find N6首次通过德国莱茵60万次折叠久用平整测试，配备哈苏2亿超清四摄，支持OPPO AI手写笔。OPPO Find N6核心配置上全面进阶，搭载高通骁龙8 Elite Gen5处理器，机身正面配备8.12英寸2K LTPO UTG内屏与6.62英寸外屏，整机重量约225克，提供金橙、原钛、深黑三款

当地时间3月16日，在英伟达GTC2026大会上，领益智造旗下子公司立敏达（Readore）作为中国大陆企业，进入新一代Rubin架构Manifold（分水器）生态，展示了包括UQD/MQD快接头、Inner Manifold在内的核心液冷产品。此次GTC大会现场，英伟达展示了Rubin全液冷架构：服务器机柜内部搭建的散热循环系统，通过冷板高效吸收芯片超高功耗产生的热量，再由Inner Manif

TrendForce集邦咨询: 英伟达多元产品线分攻AI训练与推理需求，以应对CSP自研ASIC规模升级根据TrendForce集邦咨询最新AI Server研究，在大型云端服务供应商（CSP）加大自研芯片力道的情况下，NVIDIA（英伟达）在GTC 2026大会改为着重各领域的AI推理应用落地，有别于以往专注云端AI训练市场。通过推动GPU、CPU以及LPU等多元产品轴线分攻AI训练、AI推理需

天域半导体3月17日在港交所发布公告，截至2025年12月31日止年度(“2025年财政年度”)，集团预期于2025年财政年度录得净亏损约人民币5500万元至人民币6500万元，较截至2024年12月31日止年度(“2024年财政年度”)的净亏损约人民币5.003亿元，亏损大幅减少约87%至89%。董事会认为，净亏损同比大幅减少主要由于2025年财政

3月17日，北京君正在深交所互动易平台回应投资者提问时表示，目前公司DRAM芯片、Flash芯片及部分计算芯片价格均有调整，DRAM新制程产品已正式启动销售，预计2026年公司业绩将实现较好增长。据悉，自2025年三季度起，北京君正的DRAM产品已持续调整价格，不同品类产品调整幅度存在差异，Flash芯片价格也同步进行了调整。与此同时，公司技术迭代取得突破，DDR4和LPDDR4新制程产品已实现量

当地时间2026年3月16日，意法半导体与英伟达正式宣布建立合作关系，双方将携手加速全球物理人工智能系统的开发与应用，重点覆盖人形机器人、工业机器人、服务机器人及医疗保健机器人四大领域，此次合作标志着两大半导体巨头在机器人与AI融合领域的深度布局。根据双方官方披露的合作内容，意法半导体将发挥其在硬件领域的优势，把自身传感器、微控制器和电机控制解决方案，全面集成到英伟达机器人生态系统中，实现软硬件协